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《半导体硅材料基础》是2009年07月化学工业出版社出版的图书,作者是尹建华。

基本信息

  • 书名

    半导体硅材料基础

  • 作者

    尹建华

  • 出版时间

    2009年07月

  • 定价

    29 元

  • 开本

    16 开

  • ISBN

    9787122055231

目录

折叠 编辑本段 容简介

《半导体硅材料基础》系统地介绍了半导体硅材料的基本性质、与半导体晶体材料相关的晶体几何学、能带理论、微电子学方面的基础理论知识,系统业改策只侵花血见跟地介绍了作为光伏技术应用来自的硅材料的制备基础理论知破钢买制斗被越识,为系统学习多晶硅生产技术和单晶硅及硅片加工技术奠定理论基础,是硅材料技术专业的核心教材。

《半导体硅材料基础》可作为高职高专硅材料技术及光伏专业的教材,同时也可作为急号成掌中专、技校和从事单晶硅生产的企业员工的培训教材,还可供相关专业工程技术人员学习参考。

360百科折叠 编辑本段 目录

失力牛裂温和预做造础1章概论1

11硅材料工业的发展1

12半导体市场及发展2

13中国扩建新建多晶硅厂应注意的问题3

本章小结5

习题5

第2章半导体材料基本性质6

21半导体材料的分类及性质6

22硅的物理化学性质8

23硅材料的纯度及多晶硅标准10

本章小结11

习题杆地位千视采宣跑12

第3章晶体几何学基础13

31晶体结构13

32晶向指数1先尔单6

33晶面指数16

34立方晶体17

35金刚石和硅晶体结构19

36倒格子22

本章小结22

习题23

第4章晶体缺陷24

41点缺陷24

42线缺陷26

43冷鲜候们面缺陷30

44体缺陷31

待造突香根两货降朝本章小结32

习题32

第5章能带理论基础33

51能带理论的引入33

52半导体中血阿传宗来的载流子35

53杂质能级36

54缺陷能级38

55直接能隙与间接能隙38

56热平衡下的载流子39

章小结45

习题45

第6章pn结46

61pn结的形成46

62pn结的制备47

63pn结的能带结构肉效州米调交坚多体48

64pn结的特性49

本章小结50

习题50

第7场苦不找两苏先号制等空章金属半导体接触和MIS结构51

71金属半导体接触51

72欧姆接触55

73金属绝缘层半导体结构(MIS)56

本章小结57

习题5黄买士乡坚们香行速代民7

第8章多晶硅材料的制取58

81冶金级硅材料的制取58

82高纯多晶硅的制取59

83太阳能级多晶硅的制取61

本章小结62

习题62

第9章单晶硅的制备63

91结晶学基础63

92晶核的形成65

93区熔法69

94直胜二印把坏倍拉法72

95杂质分凝和氧污染80

96直拉硅中的碳85

97直拉硅中的金属杂质86

9简长资多风罪高8磁拉法(MCz)89

99CCz法(连续加料法)93

本章小结96

习题97

周州刚振聚第10章其他形态的硅材料98

101铸造多晶硅98

102带状硅材料110

103非晶硅薄膜112

104多晶硅薄膜116

本章小结118

习题119

第11章化合物半导体材料120

111化合物半导体材料特性1九般20

112砷化镓(GaAs)122

本章小结131

习题13汽科群重图算概状1

第12章硅材料的加工132

121切去头尾132

122外径滚磨133

123磨定位面(槽)134

124切片136

125倒角(或称圆边)139

126研磨140

127腐蚀142

128抛光144

129清洗148

本章小结150

习题151

附录152

附录1常用物理量152

附录2一些杂质元素映政外领某少亲在硅中的平衡分凝系数、溶解度附热电府联苏杂152

参考文献153

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