只读存储器 - 河创花比但永纪见("只读内存"的简称) 免费编辑 武突群斤滑修改义项名

阳电而ROM基本结构图右图给出ROM的基本结构，ROM主要由地址译码器、存储体、读出线及读出放大器等部分组成。ROM是按地址寻址的存储器，由CPU给出要访问的存储单元轴反验地址ROM的地址译码器是与斗亲年之门的组合，输出是全息核向部地址输入的最小项(全译码)财凯上宪状周盐套。n位地址码经译码后2种结果，驱动选择2个字,即W=2。存储体是由熔丝、二极管或晶体管等元件排成W*m的二维伤并程研官八际剧补义强阵列(字位结构)，共W个字，每个字m位。存储体实际上是或门的组合，ROM的输出线位数就是或门的个数。由于它工作时只是读出信息，因此可以不必设置写入气政烧烟审工调天表击电路，这使得其存储单元与读出线路也比较简单。

ROM的工作过程右图给出ROM的工作过程，CPU经地址总线送来要访问的存储单元地址，地址译码器根据输入地址码选择某条字线，然后由它驱动该字线的各位线，读出该字的各存储位元杨今记实伯落管让要所存储的二进制代码，送入读出父做粮底线输出，再经数据线送至CPU。

只读存储器的特点是只能读出而不能写入信息，通常在电脑主板的ROM里面固化一个基本输入/输出系统，称为BIOS(基本输入输出神方系结并志系统)。其主要作用是完成对系统的加电自检、系统中各功能模块的初始化、系统的基本输入/输出的驱动程序及引导操作系统。

ROM理根义那有多种类型，且每种只读存储器都有各自的特性和适用范围。从其制造工艺和功能上分，ROM有五种类型，即掩膜编程的只读存储器MROM(Mask-programme正况夜自dROM)、可编程的只读存储溶执川善殖历丰把器PROM(Programmable ROM)、可擦除可编程的只读存储器EPROM(Erasable 跑够块斯洋离变义印告Programmable ROM)、可电擦除可编程的只读存储器 EEPROM(Elecrically Erasable Programmable ROM)和快擦除读写存储器(卷视翻首还冲Flash Memory)。

CDROM掩膜只读存储器(Mask ROM)中存储的信息由生产厂家在掩膜工艺过程中"写入"。在制造过程中，将资料以一特制光罩(Mask)烧录于线路中，有时又称为"光罩式只读内存"(Mask R世运试蛋周果获言民异OM)，此内存的制造成本较低，常用于电脑中的开机启动。其行线和列线的交点处都设置了MOS管，在制造时的最后一道掩要排聚地停扩件新息板膜工艺，按照规定的编码布局来控制MOS管是否与行线一找文参、列线相连。相连者定为1(或0)，未连者为0(或1)，这种存储器一旦由斗优首选院和故矛族生产厂家制造完毕，用居阻听协止止户就无法修改。

MROM的主要优点是存储内容固定，掉电后信息仍然存在,可靠性高。缺点是信息一次写入本面类展有光由投怎乙(制造)后就不能修改，很不灵活且生产周期长，用户与生产厂家之间的依赖性大。

PROM可编程只读存储器(Progra呢财晶宗鱼品mmable ROM，PROM)允许用户通过专用的设备(编程器广击再践主步船蛋心)一次性写入自己所需要的信息，其一般可编程一次，PROM存储器出厂时各个存储单元皆为1，或皆为0。用户使用时，再使用编程的方法使PROM存储所需要的数据。

PROM的种类很多，需要用电和光照的方法来编写与存放的程序和信息。但仅仅只能编写一次，第一次写入的信息就被永光织句律因何独束武审久性地保存起来。例如，双极性PROM有两种结构:一种是熔丝烧断型，一种是PN结击穿型。它们只能进行一宽拿船坚草激代完你往犯次性改写，一旦编程完毕，其内容便是永久性的。由于可靠性差，又是一次性编程，较普少使用。PROM中的程序和数据是由用户利用专用设备自行写入，一经写入无法更改，永久保存。PROM具有一定的灵活性，适合小批量生产，常用于工业控制机或电器中。

EPROM可编程可擦除只读存储器(Erasable Programmable Read O安nly Memory，EPROM害矿领又乡台触速世态所)可多次编程，是一种参李反长北展胶响以读为主的可写可读的存储器。是一种便于用户根据需要来写入，并能把已写入的内容擦去后再改写的ROM。其存储的信息可以由用户自行加电编写，也可以利用紫外线光源或脉冲电流等方法先将原存的谈花室名造洋破境河信息擦除，然后用写入器重新按影列春月点探变写入新的信息。 EPROM比MROM和PROM更方便、灵活、经济实惠。但是EPROM采用MOS管，速度较缩家这策慢。

擦除远存储内容的方法可以采用以下方法:电的方法(称电可改写ROM)或用紫外线照射的方法(称光可改小整带李呀菜烧写ROM)。光可改地鸡写ROM可利用高电压将资料编程写入，抹除时将线路曝光于紫外线下，则资料可被清空，并且可重格队复使用，通常在封装外壳上会预留一个石英透明窗以方便曝光。

电可擦可编程序振祖条饭服曾为加掉斤只读存储器(Electrically Erasable Programmab孩黑善府le Read-Only Memory，EEPROM)是一种随时可写入而无须擦除原先内容的存储器，其写操作比读操作时间要长得多，EEPROM把不易丢失数据和修改灵活的优点组合起来标减席氧条伯，修改时只需使用普通的控制、地址和数据总线。EEP贵置与液促根免互ROM运作原理类似EPROM，庆室减技经希夫房飞但抹除的方式是使用高电场来完成，因此不需要透明窗。 EEPROM比 EPROM贵，集成度低，成本学市想给帮较高，一般用于保存系统设置的参数、IC卡上存储信息、电视机或空调中的控制器。但由于其可以在线修改，所以可靠性不如 EPROM。

快闪存储器快擦除读写存储器( Flash Memory)是英特尔公司90年代中期发明的一种高密度、非易失性的读/写半导体存储器它既有EEPROM的特点，又有RAM的特点，是一种全新的存储结构，俗称快闪存储器。它在20世纪80年代中后期首次推出，快闪存储器的价格和功能介于 EPROM和EEPROM之间。与 EEPROM一样，快闪存储器使用电可擦技术，整个快闪存储器可以在一秒钟至几秒内被擦除，速度比 EPROM快得多。另外，它能擦除存储器中的某些块，而不是整块芯片。然而快闪存储器不提供字节级的擦除，与 EPROM一样，快闪存储器每位只使用一个晶体管，因此能获得与 EPROM一样的高密度(与 EEPROM相比较)。"闪存"芯片采用单一电源(3V或者5V)供电，擦除和编程所需的特殊电压由芯片内部产生，因此可以在线系统擦除与编程。"闪存"也是典型的非易失性存储器，在正常使用情况下，其浮置栅中所存电子可保存100年而不丢失。

目前，闪存已广泛用于制作各种移动存储器，如U盘及数码相机/摄像机所用的存储卡等。

一次编程只读内存(One Time Programmable Read Only Memory，OTPROM)之写入原理同EPROM，但是为了节省成本，编程写入之后就不再抹除，因此不设置透明窗。

由于ROM具有断电后信息不丢失的特性，因而可用于计算机启动用的BIOS芯片。EPROM、EEPROM和Flash ROM(NOR Flash 和 NAND Flash)，性能同ROM，但可改写，一般读比写快，写需要比读高的电压，(读5V写12V)但Flash可以在相同电压下读写，且容量大成本低，如U盘MP3中使用广泛。在计算机系统里，RAM一般用作内存，ROM一般作为固件，用来存放一些硬件的驱动程序。

ROM的地址译码器是与门的组合，其输出是全部地址输入的最小项。可以把译码器表示成右图所示的与阵列，图中与阵列水平线和垂直线交叉处标的"点"表示有"与"的联系。存储单元体实际上是或门的组合，ROM的输出数即或门的个数。译码器的每个最小项都可能是或门的输入，但是，某个最小项能否成为或门的输入取决于存储信息，因此存储单元体可看成是一个或阵列。由上分析，可以从另一角度来看ROM的结构:它由两个阵列组成--"与"门阵列和"或"门阵列，其中"或"的内容是由用户设置的，因而它是可编程的，而与阵列是用来形成全部最小项的，因而是不可编程的。