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林兰英 - 中国科学院院士、半导体材料科学家 免费编辑 修改义项名

所属类别 :
科学家
科学家
编辑分类

林兰英(1918年2月7日-2003年3月4日),福建莆田人,半导体材料学家,中国科学院院士中国科学院半导体研究所研究员 。

1940年林兰英从福建协和大学毕业后留校任教;1948年赴美留学,进入宾夕法尼亚州的迪金森学院数学系学习;1949年获得迪金森学院数学学士学位,同年进入宾夕法尼亚大学研究生院,进行固体物理的研究,先后获得硕士、博士学位;1955年博士毕业后,进入纽约长岛的索菲尼亚公司任高级工程师进行半导体研究;1957年1月回到中国,并进入中国科学院物理研究所工作;1960年中国科学院半导体研究所成立后,林兰英担任该所研究员;1980年当选为中国科学院学部委员 ;2003年3月4日在北京逝世,享年85岁。

林兰英主要从事半导体材料制备及物理的研究。在锗单晶、硅单晶、砷化镓单晶和高纯锑化铟单晶和制备及性质等研究方面获得成果,其中砷化镓气相和液相外延单晶的纯度及电子迁移率,均曾达到国际先进水平 。

基本信息

  • 中文名称

    林兰英

  • 国籍

    中国

  • 民族

    汉族

  • 出生地

    福建莆田

  • 出生日期

    1918年02月07日

  • 逝世日期

    2003年03月04日

  • 毕业院校

    美国宾夕法尼亚大学

  • 职业

    教育科研工作者

  • 代表作品

    《林兰英论文选》

  • 主要成就

    1980年当选为中国科学院学部委员(院士)

  • 性别

折叠 编辑本段 人物生平

林兰英林兰英 1918年2月7日,农历丁巳年十二月二十六日,林兰英出生于福建莆田县。幼年为了上学,经过一番绝食斗争,家人同意林兰英上了砺青小学,林兰英在砺青小学的成绩始终在有着40多名男女学生的班中占居前两名,校长彭介之决定保送她进入砺青中学。

1930年9月,林兰英进入砺青中学初中部一年级,初中六个学期她都保持全年级第一。

1933年9月,林兰英进入莆田中学高中部一年级,成了当时高一年级唯一的一名女生,后来由于莆田中学搞起了学生运动,林兰英对运动本无兴趣,转学至莆田县惟一的一所教会女子中学---咸益中学就读。

1936年,林兰英考入福建协和大学(福建师范大学前身)物理系。

1940年,林兰英从福建协和大学毕业后作为优秀生留校任助教,教授《普通物理学》、《高等数学》、《光学》、《物性声学》、《电磁学》等课程。

1944年,林兰英担任福建协和大学讲师。

1947年5月,福建协和大学与美国宾夕法尼亚州的迪金森学院建立互换留学生的关系。

1948年8月9日,林兰英远涉重洋到美国留学,进入国宾夕法尼亚州的迪金森学院数学系学习。

1949年,林兰英获得了迪金森学院数学学士学位,同时获得美国大学荣誉学会迪金森分会奖励她的一枚金钥匙。同年深秋,林兰英进入宾夕法尼亚大学研究生院,开始了固体物理的研究。

1951年,林兰英获得宾夕法尼亚大学固体物理学硕士学位。之后继续攻读博士学位,师从米勒教授。

1955年6月,林兰英凭借博士论文《弱X射线辐照引起氯化钾和氯化钠晶体的膨胀》获得宾夕法尼亚大学固体物理学博士学位,是该校建校215年以来,第一位获得博士学位的中国人,也是该校有史以来的第一位女博士。博士毕业后,导师推荐她去纽约长岛专司半导体研究的索菲尼亚公司任高级工程师。之后,她被聘为从事半导体科研工作的索菲尼亚公司(Sylvania公司)高级工程师,靠林兰英杰出的科学分析指导,公司成功地造出了第一根硅单晶,不久,又为公司申报了两项专利,公司三次提高她的年薪。林兰英回国时索菲尼亚公司给她年薪10000美元,回国后每月207元人民币。

1956年6月,林兰英以"母亲重病"为由,向印度驻美国大使馆提交回国申请,9月使馆通知她填写有关回国事宜的表格。

1957年1月29日,几经周折抗争,林兰英乘坐的客轮安抵香港,在国务院办公厅精心周密安排下,她走上了深圳罗湖桥头,回到了中国,之后由大弟林文豪送她经上海去北京,进入中国科学院物理研究所工作,历任研究员,副所长。

1960年,林兰英担任中国科学院半导体研究所研究员。

1980年,林兰英当选为中国科学院学部委员。1980年11月,林兰英赴朝鲜讲学,一连讲了6天,金日成专门抽时间接见了她。

2003年3月4日,林兰英在北京因病医治无效逝世,享年85岁。

折叠 编辑本段 主要成就

折叠 科研成就

  • 科研综述

林兰英率先组织和领导了中国生长硅单晶、锑化铟、砷化镓和磷化镓单晶的研究,并首先获得了上述半导体单晶。为在中国率先研究半导体集成电路和光电子器件的单位提供了多种半导体单晶材料,并向全国推广上述单晶生长技术和相应的材料测试技术,为中国微电子学和光电子学的开创奠定了基础。参与组织领导4千位16千位大规模集成电路-MOS随机存储器的研制,1980、1982年两次获得中国科学院科技进步一等奖。她指导的高纯砷化镓液相外延和气相外延材料研究达到国际先进水平,其中高纯砷化镓气相外延研究至今仍然保持着采用卤化系统的国际最高水平。1987年首次在世界上在微重力条件下从熔体中生长砷化镓单晶获得成功。以后又相继四次在中国返回式卫星上生长生长砷化镓单晶,在空间晶体生长、材料物理研究及器件应用等方面取得诸多科研成果。利用空间生长的半绝缘砷化镓制造的微波低噪声场效应晶体管和模拟开关集成电路的特性及优质品率提高 。

1958年秋天,中国第一根硅单晶诞生,长8厘米、直径5.08厘米的圆柱体硅单晶。

1961年深秋,由林兰英主持设计加工的中国第一台开门式硅单晶炉制造成功。

1962年春天,正式启动拉制工作,中国第一根无位错的硅单晶拉制成功。

1963年,东京举办国际工业博览会,日本特邀这台硅单晶炉赴东京参展,后中国生产了900多台,远销东欧诸国。

1962年10月,一个半导体学术会议上,林兰英拿出了砷化镓单晶。经鉴定,砷化镓单晶的电子迁移率达到当时国际上最高水平。

1964年,由她参与的中国第一只砷化镓二极管激光器问世。

"文革"开始那年,她还与中国第一位女院士林巧稚一同登上天安门城楼,事后便跌于"文革"的沼泽中。

1973年,还在"文革"风雨中的她,第一次提出用汽相外延和液相外延法制取砷化镓单晶,后来,砷化镓汽相外延电子迁移率连续4年居国际最高水平,至今还处于国际领先地位。

80年代,她开创性地提出在太空微重力条件下拉制砷化镓的设想。1987年8月,中国终于在第九颗返回式人造卫星上拉制出了第一块高质量低缺陷的砷化镓单晶。

1982年,高纯LPEGaAs生长及性质,晶体生长杂志,

1989年,太空GaAs制备与性质,材料科学文集

1993年,林兰英论文选,福建科学技术出版社

  • 承担项目

1959-1964,直拉硅和区熔硅晶体生长,主持

1977-1980,高纯VPE和LPEGaAs外延材料生长,主持

1985-1990,LCSSI-GaAs晶体生长,主持

1987-1994,空间GaAs材料生长和性质,主持

  • 科研成果奖励

林兰英先后四次获中国科学院科技进步奖一等奖,两次获国家科学技术进步奖二、三等奖。

时间项目名称奖励名称
1980年-1981年4K和16K硅DRAM及提高成品率研究中国科学院科学技术进步奖,一等
1986年砷化镓材料质量提高研究国家科学技术进步奖,二等
1989年太空GaAs生长及性质研究中国科学院科学技术进步奖,一等

折叠 荣誉表彰

时间荣誉/表彰
1980年中国科学院学部委员
1996年何梁何利基金科学与技术进步奖
1998年霍英东成就奖

折叠 编辑本段 社会任职

时间担任职务
1975年-1993年中华人民共和国第四、五、六、七届全国人民代表大会代表
1978年-1985年中国电子材料行业协会主任委员
1980年-1996年中国科学技术协会副主席(第二至四届)
1986年国家自然科学基金委员会委员

折叠 编辑本段 个人生活

林兰英有两个弟弟、四个妹妹。妹妹因是女儿身而被送了人。林兰英幼年幸免被送人的命运,得益于她是长女。封建家庭里"长子"或"长女",都意味着必须担负责任和义务。林兰英幼年的责任和义务是做家务、看护弟弟。她6岁就熟悉家务,可做好供全家人吃的两大锅饭。

幼年的林兰英勤劳敏学,心灵手巧,许多事她做起来轻松自如,尤其是刺绣剪纸,做得格外漂亮,剪出的"公鸡报晓"、"嫦娥奔月"、"喜鹊登枝"等名目繁多的窗花,总让堂姐妹们格外羡慕。在那个封建的深宅大院里,她与堂姐妹们的不同之处是她向往外面的世界。一天,她对后院盖起的两座小新楼细细观望,不小心被三祖父看见了。三祖父便挤兑她说:"你看什么?你将来是要嫁出去的人,这房上的瓦一片也不是你的!"

但最后的难度还在联邦调查局的刁难。她早就是联邦调查局"心中有数"的人物。几经阻拦无效后,他们来了最后一招儿---在她登船之前将她的行李物品翻了个遍。见无利可图又对她搜身,只搜出一张6800美元的旅行支票。这支票被海关无理扣留,直到23年后的1980年,由中国银行出面才将其索回……

最让林兰英没料到是,"文革"后,美国联邦调查局还在留意她。敏感的联邦调查局知道"文革"中的林兰英有过这样那样的不如意,便打她的主意,拉她去美国定居。他们通过林兰英在美的一位朋友来中国做她的工作,林兰英谢绝了他们的好意,说:"我林兰英既然在20年前毅然回到了中国,20年后的今天,就更不会回到美国去了。"

林兰英多次接待过美国访华代表团。一次,一个美国代表团的客人问她:"您为什么不愿回美国去呢?如果现在有意,我会安排您在美国的一切所需。"林兰英笑了笑说:"中国现在更需要我。我愿意并更乐意与美国合作搞半导体科学研究。"

1957年林兰英刚到在中国科学院物理所工作才一星期,就得了急性腹膜炎,动了手术。此事惊动了周总理,她一上手术台,日理万机的周总理亲自打去电话,指示医院"只能治好,不能出意外",并说这是一项政治任务。

1964年,林兰英去捷克参加国际半导体会议,会议期间,她与英国科学家西尔索相遇。西尔索极为傲慢,林兰英曾在这之前在莫斯科讲学时见过他。头天,林兰英做了有关锑化铟迁移率的报告。第二天,他们一起共餐,西尔索质问道:"你们锑化铟的样品是不是苏联给的?"

西尔索的问话大伤林兰英的自尊,她据理反驳:"这都是我们自己做的。作为科学家,你怎么可以信口雌黄,说是苏联给的?!"

这事一直让她记忆不忘,总想有机会以事实回击西尔索,"报复"他一下。1979年,西尔索来中国参观半导体材料砷化镓,林兰英有意避而不见,只将材料样品摆出来让西尔索看,西尔索这才惊讶中国有世界领先的砷化镓。他似乎觉得15年前冒犯了林兰英,便向黄昆所长问及她,所长以"林博士很忙"搪塞了他。西尔索悟出林兰英的用意,这事也让他记忆终生。

1974年林兰英才住上有暖气的房子。

折叠 编辑本段 人物评价

林兰英是中国半导体材料科学的奠基人和开拓者,她带动同事一起创造了多个"新中国的第一",受到全世界科学家关注,在砷化镓晶体太空生长和性质研究诸方面取得了举世瞩目的成就,被誉为"中国太空材料之母" 。(新浪新闻评)[1]

折叠 编辑本段 后世纪念

2002年,因莆田旧城改造,林润故居原样迁移到莆田城南乡沟头村的莆田一中新校区内,内含林润的后裔、林兰英院士故居。林兰英去世后,骨灰从北京运至林润故居内埋葬并建立林兰英陵园。故居的厅堂竖立林兰英塑像。林兰英在北京的住宅和办公室中的所有书籍和家具也运回莆田故居,陈列在林润故居内。

2004年12月,林兰英院士塑像揭幕仪式在莆田第一中学举行,中国科学院半导体研究所所长李晋闽及莆田市有关领导、部分科技专家、教师和学生共数千人参加了揭幕仪式 。

参考资料

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