2018-12-01 10:27:35

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砷化镓(gallium arsenide),化学式 GaAs。黑灰色固体,熔点1238℃。它在600℃以下,能在空气中稳定存在,并且不被非氧化性的酸侵蚀。

砷化镓是一种重要的半导体材料。属Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体。属闪锌矿型晶格结构,晶格常数5.65×10-10m,熔点1237℃,禁带宽度1.4电子伏。砷化镓于1964年进入实用阶段。砷化镓可以制成电阻率高3个数量级以上的半绝缘高阻材料,用来制作集成电路衬底、红外探测器、γ光子探测器等。由于其电子迁移率比硅大5~6倍,故在制作微波器件和高速数字电路方面得到重要应用。用砷化镓制成的半导体器件具有高频、高温、低温性能好、噪声小、抗辐射能力强等优点。此外,还可以用于制作转移器件──体效应器件。砷化镓是半导体材料中,兼具多方面优点的材料,但用它制作的晶体三极管的放大倍数小,导热性差,不适宜制作大功率器件。虽然砷化镓具有优越的性能,但由于它在高温下分解,故要生产理想化学配比的高纯的单晶材料,技术上要求比较高。

基本信息

  • 中文名

    砷化镓

  • 英文名

    Gallium arsenide

  • 化学式

    GaAs

  • 分子量

    144.6446

  • CAS登录号

    1303-00-0

  • EINECS登录号

    215-114-8

  • 熔点

    1238℃

  • 密度

    5.37g/cm3

  • 外观

    黑灰色固体

折叠 编辑本段 分子结构

折叠 编辑本段 基本信息

中文名称:砷化镓

英文名称:Gallium arsenide

更多名称:Strontium chloride

CAS号:1303-00-0

分子式:AsGa

分子量:144.6446

折叠 编辑本段 物性数据

1. 性状:立方晶系闪锌矿型结晶。无气味。

2. 密度(g/mL,25℃):5.37

3. 相对蒸汽密度(g/mL,空气=1):未确定

4. 熔点(ºC):1238

5. 沸点(ºC,常压):未确定

6. 沸点(ºC,0.05mmHg):未确定

7. 折射率(n20/D):未确定

8. 闪点(ºC):未确定

9. 比旋光度(º):未确定

10. 自燃点或引燃温度(ºC):未确定

11. 蒸气压(mmHg,20ºC):未确定

12. 饱和蒸气压(kPa,60ºC):未确定

13. 燃烧热(KJ/mol):未确定

14. 临界温度(ºC):未确定

15. 临界压力(KPa):未确定

16. 油水(辛醇/水)分配系数的对数值:未确定

17. 爆炸上限(%,V/V):未确定

18. 爆炸下限(%,V/V):未确定

19. 溶解性:与水反应

折叠 编辑本段 存储方法

保持贮藏器密封、储存在阴凉、干燥的地方,确保工作间有良好的通风或排气装置

折叠 编辑本段 合成方法

图XIII-20 砷化镓的制备装置

砷化镓的制备装置如图所示,先往一端封闭的透明石英安瓿中送入装有纯镓的石英盘,然后加入纯砷,在5×10-6Torr(1Torr=133322Pa)下,真空封口。砷的加入量为其当量的1.1~1.2倍(因为砷是利用蒸气压控制的,所以加入量必须比充满整个安瓿还要多一些)。为防止砷化镓及盘受潮湿,必须向盘里面喷砂大约150~300次。将上述安瓿按图所示装好,装有砷的A炉加热到610℃,装有镓的B炉加热到1250℃(根据安瓿的大小,可按砷摩尔量的1.1~1.2倍加入之)。

加热到610℃的砷的蒸气压为101.325kPa,与加热到1250℃的镓进行反应,产生砷化镓。经过4~5h后,将安瓿每1h往A炉拉出5~20mm,则从盘的前端逐渐生长出单晶。

折叠 编辑本段 主要用途

用于制造光电器件(LCD),激光器(LD),场效应晶体管(FET),高电子迁移率晶体管(HEMT),异质结双极晶体管(HBT),高速器件和微波单片集成电路(MMIC),微波/毫米波集成电路(MIMIC),高速集成电路,太阳电池。

折叠 编辑本段 系统编号

CAS号:1303-00-0

MDL号:MFCD00011017

EINECS号:215-114-8

RTECS号:LW8800000

PubChem号:24859765

折叠 编辑本段 毒理学数据

1、急性毒性:大鼠引入腹膜LD50:10gm/kg:动作失调 小鼠引入腹膜LD50:4700mg/kg

折叠 编辑本段 计算化学数据

1、 氢键供体数量:0

2、 氢键受体数量:0

3、 可旋转化学键数量:0

4、 拓扑分子极性表面积(TPSA):0

5、 重原子数量:2

6、 表面电荷:0

7、 复杂度:10

8、 同位素原子数量:0

9、 确定原子立构中心数量:0

10、 不确定原子立构中心数量:0

11、 确定化学键立构中心数量:0

12、 不确定化学键立构中心数量:0

13、 共价键单元数量:1

折叠 编辑本段 生态学数据

对水是极其危害的,即使是少量产品渗入地下也会对饮用水造成危害,若无政府许可勿将产品排入周围环境。对水中有机物有危害

折叠 编辑本段 性质与稳定性

如果遵照规格使用和储存则不会分解,未有已知危险反应,避免酸、水分/潮湿.

为一种化合物型半导体,电流通过p-n结,直接发光,可制成激光或发光二极管。此外,本品还可用作功能元件,用于微波振荡、毫米波放大、光通讯等方面。

安全信息

  • 包装等级:II
  • 危险类别:6.1
  • 海关编码:2853009022
  • 危险品运输编码:UN 1557 6.1/PG 2
  • WGK Germany:3
  • 危险类别码:R23/25
  • 安全说明:S20/21-S28-S45-S60-S61
  • RTECS号:LW8800000
  • 危险品标志:T,N

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