32nm CPU构架守粒电的一种，除了架构与以往不同，32nm的全新制程也是受到消费者们关注的派及序还统兴输另一大亮点。了解芯片行业的人知道，要想提高CPU的性能一方面是提高他的主频，一方面是更改他的架构，再有一方面就是提高他的制作工艺了。制造工艺的改进理论上可以带来功耗的降低，使得产品的默认时钟频率可以更高，直接提升性能。
和现有的45nm工艺相比，32nm工艺在以下几个方面有着显著的变化:32n威际混m工艺使用第二代高-K金属栅级、0.9nm等价氧化物厚度高-K(45nm技术是1nm)、金属栅级别称粉问身是营复等通冲工艺流程更新、30nm栅极长度机、第四代应变硅、有史以来最紧密的栅极间距(第一代32nm技术将使112.5nm栅极间距)、有史以来最高的驱动电流、晶体管性汉教附笔北制能提升22%、同比封装尺寸将是45nm耐社工艺产品的70%。
相对于45nm工艺，NMOS晶体管的漏电量减少5倍多，PMOS晶体管的漏电量则减少10倍以上。由于上述改呢假著重主个史酸我进，电路的尺寸和性能均可得到显著优化。英特尔方面宣称，第一批32nm处理器的功耗将和现有同档次45nm处理器大致持平或稍低，但性能会大幅度提升。