折叠 编书三社命辑本段 光致衰退效应
简介
光致衰退图电田微翻思庆效应也称S-W效应。a-Si∶H薄膜经较长时间的强光照射或电流通过,在其内部将产生缺陷而使薄膜的使用性能下降湖,称为Steabler兰须因穿-Wronski效应。
光致衰退效应起因
对S-W效应的起因,至今仍百整素稳外电些策有不少争议,造成衰退的微观机促逐液带制也尚无定论，成为迄今国内外非晶硅材早般科料研究的热门课题。总的看法认为,S-W效应起因于光照导致在带隙中产生了新的悬挂键缺陷态(深粮们编罗就蒸便洲凯能级)，这种缺陷态会影响a-Si∶H薄膜材料的费米能级EF的位议置，从而使电子的分布情况发生变化，进而一方面引起光学类没否话早府获转影维性能的变化，另一方面对电子的复合过程产生影响。这些缺陷态成为电子和空穴的额外复合中心，使得电子的俘获截面增大、寿命下降。
在a-Si∶H薄膜材料中，能够回市次充波溶击缩高耐析稳定存在的是Si-H键和与晶体硅类似的Si-Si键，这些键的键能较大，不容易被打断。由于a-Si∶H材料结构上的无序，使得一些Si杀父-Si键的键长和键角发生开道变化而使Si-Si键处于应变状态。高应变Si-S宜突香i键的化学势与H相当，可以被外界能量有矛打断，形成Si-H键或时龙重新组成更强的Si-Si键。如果断裂的应变Si-Si键没有重构，则a-Si∶H薄膜的悬挂键密度增加。为了更好地理解S-W效应产生的机理并控汉满货考位细县宗歌制a-Si∶H薄膜中的悬挂键，以期寻找稳触定化处理方法和工艺，20多年来，国内外科学工作者进行了不懈的努力，提出了大量的物理模型，主要有弱键断裂(SJT)模型、"H玻璃"模型、H碰撞模型、Si-H-Si桥键形成模型、"defe江名药给击案州组ct pool"模型等,但至今仍没有形成统一的观点。
折叠 编辑本段 LED光衰
LED光衰是指LED经过一段时间的点亮后,便去操要其光强会比原来的光强要低,而低了的部分就是LED的光衰. 一般LED封装厂家做测试是在实验室的条件下(25℃的常温下),以20MA教操旧型质罗易菜进的直流电连续点亮LED1000小时来对比其点黄井支件没但象山核帝干亮前后的光强.
光衰计算方法
N小时的光衰=1-(N小时的光通明降烟量/0小时的光通量)
LED光衰影响因素
针对LED的光衰主要有以下二大因素:
- LED产品本身品质问题
- 采用的LED芯片体质不好，亮度衰减较快。
- 生产工艺存在缺陷，LED芯片散热不能良好的从PIN脚导出，导致LED芯片温度过高使芯片衰减加剧。
2. 使用条件问题
- LED为恒友剂迫流驱动，有部分LED采用电压驱动使LED衰减过快。
- 驱动电流大于额定驱动条件。
其实导致LED产品光衰的原因很多，最关键的还是热的问题，尽管很多厂商在次级产品不特别注重散热的问题，但这些次级LED离影价产品长期使用下，光衰程度会比有注重散热的LED产品要高。LED芯片本身的热阻、银胶的影响、基板的散热效果，以及胶体和金线方面也都与光衰有关系。
普通白炽灯光衰影响因素
泡壳越大、光衰越小，即与钨的蒸发量沉积挡住光输出成正比。而充气灯泡由于部分地阻止钨丝蒸发所以光衰要小。
如果是白炽灯用相同师权卫灯丝，做在不同大小泡壳里，相对来说同一时间点的光衰的确大泡壳的比小泡壳的小。另外，同样是充气泡大玻壳的灯泡内部空间大，卷改入唱牛气体对流到玻壳有比较大散热面班积，相对小玻壳灯的温度低很多，则灯丝的温度也相对低阳功散七目调问，发光效率低，钨丝的蒸发率也低，所以光衰要小。但同官身列胡四答逐山样的灯丝在大玻壳风迅亮的光效比小玻壳的灯丝低很多。所以在灯丝设计的时候是分开设计的，在现实生产中的可比意义不大。