2018-08-20 16:23:18

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光衰一般指它的光通量,在对感光鼓表面充电时,随着电荷在感光鼓表面的积累,电位也不断升高,最后达到 "饱和"电位,就是最高电位。表面电位会随着时间的推移而下降,一般工作时的电位都低于这个电位,这个电位随时间自然降低的过程,称之为"暗衰"过程。感光鼓经扫描曝光时 ,暗区(指未受光照射部分的光导体表面)电位仍处在暗衰过程;亮区(指受光照射部分的光导体表面)光导层内载流子密度迅速增加,电导率急速上升,形成光导电压,电荷迅速消失,光导体表面电位也迅速下降。称之为"光衰",最后趋缓。

基本信息

  • 中文名

    光衰

  • 外文名

    light wane

  • 全称

    光致衰退效应

  • 含义

    指它的光通量

  • 影响因素

    本身品质问题, 使用条件问题

  • 又名

    S-W效应

折叠 编辑本段 光致衰退效应

简介

光致衰退效应也称S-W效应。a-Si∶H薄膜经较长时间的强光照射或电流通过,在其内部将产生缺陷而使薄膜的使用性能下降,称为Steabler-Wronski效应。

光致衰退效应起因

对S-W效应的起因,至今仍有不少争议,造成衰退的微观机制也尚无定论,成为迄今国内外非晶硅材料研究的热门课题。总的看法认为,S-W效应起因于光照导致在带隙中产生了新的悬挂键缺陷态(深能级),这种缺陷态会影响a-Si∶H薄膜材料的费米能级EF的位置,从而使电子的分布情况发生变化,进而一方面引起光学性能的变化,另一方面对电子的复合过程产生影响。这些缺陷态成为电子和空穴的额外复合中心,使得电子的俘获截面增大、寿命下降。

在a-Si∶H薄膜材料中,能够稳定存在的是Si-H键和与晶体硅类似的Si-Si键,这些键的键能较大,不容易被打断。由于a-Si∶H材料结构上的无序,使得一些Si-Si键的键长和键角发生变化而使Si-Si键处于应变状态。高应变Si-Si键的化学势与H相当,可以被外界能量打断,形成Si-H键或重新组成更强的Si-Si键。如果断裂的应变Si-Si键没有重构,则a-Si∶H薄膜的悬挂键密度增加。为了更好地理解S-W效应产生的机理并控制a-Si∶H薄膜中的悬挂键,以期寻找稳定化处理方法和工艺,20多年来,国内外科学工作者进行了不懈的努力,提出了大量的物理模型,主要有弱键断裂(SJT)模型、"H玻璃"模型、H碰撞模型、Si-H-Si桥键形成模型、"defect pool"模型等,但至今仍没有形成统一的观点。

折叠 编辑本段 LED光衰

LED光衰是指LED经过一段时间的点亮后,其光强会比原来的光强要低,而低了的部分就是LED的光衰. 一般LED封装厂家做测试是在实验室的条件下(25℃的常温下),以20MA的直流电连续点亮LED1000小时来对比其点亮前后的光强.

光衰计算方法

N小时的光衰=1-(N小时的光通量/0小时的光通量)

LED光衰影响因素

针对LED的光衰主要有以下二大因素:

  1. LED产品本身品质问题
  • 采用的LED芯片体质不好,亮度衰减较快。
  • 生产工艺存在缺陷,LED芯片散热不能良好的从PIN脚导出,导致LED芯片温度过高使芯片衰减加剧。

2. 使用条件问题

  • LED为恒流驱动,有部分LED采用电压驱动使LED衰减过快。
  • 驱动电流大于额定驱动条件。

其实导致LED产品光衰的原因很多,最关键的还是热的问题,尽管很多厂商在次级产品不特别注重散热的问题,但这些次级LED产品长期使用下,光衰程度会比有注重散热的LED产品要高。LED芯片本身的热阻、银胶的影响、基板的散热效果,以及胶体和金线方面也都与光衰有关系。

普通白炽灯光衰影响因素

泡壳越大、光衰越小,即与钨的蒸发量沉积挡住光输出成正比。而充气灯泡由于部分地阻止钨丝蒸发所以光衰要小。

如果是白炽灯用相同灯丝,做在不同大小泡壳里,相对来说同一时间点的光衰的确大泡壳的比小泡壳的小。另外,同样是充气泡大玻壳的灯泡内部空间大,气体对流到玻壳有比较大散热面积,相对小玻壳灯的温度低很多,则灯丝的温度也相对低,发光效率低,钨丝的蒸发率也低,所以光衰要小。但同样的灯丝在大玻壳的光效比小玻壳的灯丝低很多。所以在灯丝设计的时候是分开设计的,在现实生产中的可比意义不大。

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