2016-07-09 16:44:07

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晶片是LED最主要的原物料之一,是LED的发光部件,LED最核心的部分,晶片的好坏将直接决定LED的性能。晶片是由是由Ⅲ和Ⅴ族复合半导体物质构成。在LED封装时,晶片来料呈整齐排列在晶片膜上。

基本信息

  • 中文名

    晶片

  • 外文名

    chip

  • 作 用

    LED主要依靠晶片来发光

  • 组 成

    砷 铝 镓 铟 磷 氮 锶

​晶片基础知识

折叠 编辑本段 作用

晶片为LED的主要原材料,LED主要依靠晶片来发光.

折叠 编辑本段 组成

主要有砷(AS) 铝(AL) 镓(Ga) 铟(IN) 磷(P) 氮(N)锶(Sr)这几种元素中的若干种组成.

折叠 编辑本段 分类

1.按发光亮度分:

A.一般亮度:R﹑H﹑G﹑Y﹑E等.

B.高亮度:VG﹑VY﹑SR等

C.超高亮度:UG﹑UY﹑UR﹑UYS﹑URF﹑UE等

D.不可见光(红外线):IR﹑SIR﹑VIR﹑HIR

E. 红外线接收管 :PT

F.光电管 : PD

2.按组成元素分:

A. 二元晶片(磷﹑镓):H﹑G等

B.三元晶片(磷﹑镓﹑砷):SR﹑HR﹑UR等

C.四元晶片(磷﹑铝﹑镓﹑铟):SRF﹑HRF﹑URF﹑VY﹑HY﹑UY﹑UYS﹑UE﹑HE、UG等

折叠 编辑本段 晶片特性表

晶片型号 发光颜色 组成元素 波长(nm) 晶片型号 发光颜色 组成元素 波长(nm)

SBI 蓝色 lnGaN/sic 430 HY 超亮黄色 AlGalnP 595

SBK 较亮蓝色 lnGaN/sic 468 SE 高亮桔色 GaAsP/GaP610

DBK 较亮蓝色 GaunN/Gan470 HE 超亮桔色 AlGalnP 620

SGL 青绿色 lnGaN/sic 502 UE 最亮桔色 AlGalnP 620

DGL 较亮青绿色 LnGaN/GaN505 URF 最亮红色 AlGalnP 630

DGM 较亮青绿色 lnGaN 523 E 桔色 GaAsP/GaP635

PG 纯绿 GaP 555 R 红色 GAaAsP 655

SG 标准绿 GaP 560 SR 较亮红色 GaA/AS 660

G 绿色 GaP 565 HR 超亮红色 GaAlAs 660

VG 较亮绿色 GaP 565 UR 最亮红色 GaAlAs 660

UG 最亮绿色 AIGalnP 574 H 高红 GaP 697

Y 黄色 GaAsP/GaP585 HIR 红外线 GaAlAs 850

VY 较亮黄色 GaAsP/GaP585 SIR 红外线 GaAlAs 880

UYS 最亮黄色 AlGalnP 587 VIR 红外线 GaAlAs 940

UY 最亮黄色 AlGalnP 595 IR 红外线 GaAs 940

折叠 编辑本段 注意事项

1.晶片厂商名称: A.光磊(ED) B.国联(FPD) C.鼎元(TK) D.华上(AOC)

E.汉光(HL) F.AXT G.广稼

2.晶片在生产使用过程中需注意静电防护.

折叠 编辑本段 晶片结构

单晶片结构和双晶片结构如图所示。

折叠 编辑本段 晶片参数

晶片外观

晶片形状为正方形或长方形,上表面有单电极或双电极,

红光与黄光晶片多数为单电极晶片,且上表面有正或负极.

蓝/绿晶片多数为双电极,且一般圆形电极为正极.具体电极情况请参照晶片规格书.

晶片尺寸

晶片按尺寸分,较常用的有以下规格

(1mil=25.4µm)

小尺寸

7*9mil

9*11mil

12*12mil

10*18mil

14*14mil

15*15mil

10*23min

大尺寸

24*24mil

28*28mil

40*40mil

45*45mil

60*60mil

折叠 编辑本段 光电参数

折叠 编辑本段 晶片评估

1.评估流程:

来料检验==>安排试产==>固晶实验==>焊线实验==>老化实验==>不良分析==>OK/NG

2.检验项目包括:

2.1、来料资料有无规格书(没有规格书不建议盲目的去实验);

2.2、来料的芯片参数(亮度、电压、波长等)是否符合规格要求,

外观(电极位置)是否与规格书上相同;

2.3、尺寸测量:需要采用精确的高倍显微镜进行测量,实际尺寸

是否符合要求;包括芯片的长、宽、高、电极大小等

2.4、电性检测:VF、IV、WL、IR、极性等实际测试是否符合要求。

此项有很多厂商没有条件测试,建议在试做过程中去做成成

品测试(但极性最好先进行确认);

3、试产

外观检查OK后就开始进行排单实验其他性能是否适合

批量投产,排单时准备好相关资料与试产资料

4、固晶评估项目:

a.PR识别的能力

b.气压压力

c.顶针高度

d.吸嘴大小

e.焊头压力

f.芯片膜的粘性

g.产能如何等,

h.推力(推后现象)

若有问题均要有记录。

焊线评估项目:

a.焊线压力

b.功率

c.时间

d.焊线热板温度

e.PR识别能力

f.弧高

g.金球大小

h.产能

i.拉力大小(断点位置)

若有问题均要有记录。

老化实验

a.电性测试(包括ESD);

b.按信赖性实验标准取材料准备分别做以下实验:

实验前产品需要编号测试VF/IR/IV/WL性能,产品要与数据对应),

实验一:常温点亮保存(条件Ta=25±5℃,RH=55±20%RH,

20mA通电1000hrs)

实验二:高温高湿点亮(条件Ta=85+5、-3℃,RH=85%+5、-10%,

20mA通电1000hrs)

实验三:冷热冲击[条件Ta=85℃(30分钟)~Ta=25℃(30分钟)

~Ta=-40℃(30分钟)~Ta=85℃(30分钟)]

其他实验可以根据自己的需要进行选择;

实验过程中每100/168小时测试一次;

所有不良品均要分析。

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