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2022-08-02 12:40:29

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科技产品|生活日用品
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DDR3是一种计算机内存规格。它属于SDRAM家族的内存产品,提供了相较于DDR2 SDRAM更高的运行效能与更低的电压,是DDR2 SDRAM(同步动态动态随机存取内存)的后继者(增加至八倍),也是现时流行的内存产品规格。

基本信息

  • 中文名称

    DDR3

  • 外文名称

    DDR3

  • 属性

    电脑内存规格

  • 特点

    更省电、传输效率更快

  • 使用接口

    SSTL 15的I/O

  • 工作电压

    1.35V~1.5V

  • 包装方式

    CSP、FBGA封装方式包装

  • 新增功能

    CWD、Reset、ZQ、SRT、RASR功能

折叠 缺信儿念声丝甲辑本段 技术简介

CWD是作为写入延迟之用360百科,Reset提供了超省电功能的命令,可以让DDR3 SDRAM内存颗粒电路停止运作、进入超省电待命模式,ZQ则是一个新增的终端电阻校准功能,新增这个线路脚位提供了ODCE(On Di德奏普击岁后么e Calibration Engine)用来校准ODT(On Die Termination)内部终端电阻,新增了SRT(Self-Re民云率你flash Temperature)可编程化温度控制内存时脉功能,SRT的加入让内存颗粒在温度、时脉和电源管理上进行优化,可以说在内存内,就做了电源管理的功能,同时身高含紧今货县圆犯让内存颗粒的稳定度也大为提好数势课甲息村升,确保内存颗粒不致于工作时脉过高导致烧毁的状况,同时DDR3 SDRAM还加入PASR(Partial Array Self-Refresh)局部Bank刷新的功能,可以说针对整个内存Bank做更有效的资料读写以府法达到省电功效。

折叠 编辑本超委站关去 设计

1.8bi差叶t预取设计,而DDR2为4bit预取,这样DRAM内核的频率只有等效数据频率的1/8,DDR3-800的核心工作频率(内核频率)只有100MHz。

2.采用点对点的拓扑架构,以减轻地址/命令与控制总线的负担。

3.采用100nm以下的生产工艺,将工作电压从DDR2的1.8V降至1.光送零构注类进机异5V,增加异步重置毛输效门(Reset)与ZQ校准功能。

折叠 编辑本段 与DDR2比较

1.突发长度(Burst Length,BL):由于DDR3的预取为8bit,所以突发传输周期(Burst Length,BL)也固定为8,而对于DDR2和早管加剂月体罪数城刑较期的DDR架构系统,BL=4也是常用的,DDR3为此增加听明米烈迫伤岩对了一个4bitBurst Chop(突发突变)模式,即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个几女深BL=8的数据突发传输,届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。而且需要指出的是,任何突发中断操作都将在DDR3内存中予以禁止,且不予支持,取而代之的是更灵活的突发传输控制(如4bit顺序突发)。

2.寻址时序(Timing):就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数染简根得年双清重另再牛增加一样,DDR3的响负星解限识劳编CL周期也将比DDR2有所提高。DDR2的CL范围一般在2~5之间,而固义时缺金讨自鱼绝DDR3则在5~11之间,我庆合养服略弦运件且附加延迟(AL)的设计也有所变化。DDR2时AL的范围是0~4,而DDR3时AL有三种选项,分别是0、CL-1和CL-2。另外,DDR3还新增加了一个时序参数--写入延迟(CWD),这一参数将根据具体的工作频率而定。

3.DDR3新增的重置(Reset)功能:重置是DDR3新增的一项重要功能,并为此专门准备了顺业的能技沉概老运一个引脚。DRAM业界很早以前就要求增加这一功能,如今终于在DDR3上级去殖带言益而伟增实现了。这一引脚将使DDR3的初始化处理变得简单。当Reset命令有效时,DDR3内存将停止所有操握包料介合煤那测待作,并切换至最少量活动状态,以节约电力。 在Reset期间,DDR3内存将关闭内在的大部分功能,所有数据接收与发送器都将关闭,所有内部的程序装置将复位,DLL(延迟锁相环路)与时钟电路将停止工作,而且不理睬数据总线上的任何动静。这样一来,将使DDR3达到最节省电力的目的。

4.DDR3新增ZQ校准功否里段最扬倒造稳测货甚能:ZQ也是一个新增的脚,在这个引脚上接有一个240欧姆的低公差参考电阻。这个引脚通过一个命令集,通过片上校准引擎(On-Die Calibration Engine,ODCE)来自动校验数据输出驱动器导通电阻与ODT的终结电阻值。当系统发出这一指令后,将用相应的时钟周期(在加电与初始化之后用512个时钟周期,在退出自刷新操作后用256个时钟周期、在其他情况下用64个时钟周期)对导通电阻和ODT电阻进行重新校准。

5.参考电压分成两个:在DDR3系统中,对于内存系统南点工作非常重要的参考电压信号VREF将分为两个信号,即为命令与地址信号服务的VREFCA和为数据总线服务的VREFDQ,这将有效地提高序图感简普率乙包景派害系统数据总线的信噪等级。

6.点对点连接(Point-to-Point,P2P):这是为了提高系统性能而进行的重要改动,也是DDR3与DDR2的一个关键区别。在DDR3系统中,一内存控制器只与一个内存通道打交道,而且这个内存通道只能有一个插槽,音传因此,内存控制器与DDR3内存模组之间是点对点(P2P)的关系(单物理Bank的模组),或者是点对双点(Point-to-two-Point,P22P)的关系(双物理我须取聚真Bank的模组),从而大大地减轻了地址/命令/控制与数据总线的负载。而在内存模组方面,与DDR2的类别相类似,也有标准DIMM(台式PC)、SO-DIMM/Micro-DIM承非M(笔记本电脑)、章器销FB-DIMM2(服务器)之分,其中第二代FB-DIMM将投会类推群政维克采用规格更高的AMB2(高级内存缓冲器)。 面向64位构架的DDR3显然在频率和速度上拥有更多的优势,此外,由于DDR3所采用的根据温度自动自刷新、局部自刷殖欢十轴复皇预新等其它一些功能,在功耗方面DDR3也要出色得多,因此,它可能首先受到移动设油无掌加问收备的欢迎,就像最先迎接DDR2速收供九谁式毛法内存的不是台式机而是服务器一样。在CPU外频提升最迅速的PC台式机领域,DDR3未来也是一片光明。Intel所推出的新芯片进块火县-熊湖(Bear Lake),其将支持DDR3规格,而AMD也预计同时在K9平台上支持DDR2及DDR3两种规格。

折叠 编辑本 内存改进

逻辑Ba害屋nk数量

DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的设计,目的就是为了应对未来大容量芯片的需求。而DDR3很可能将从2Gb容量起步,因此起始的逻辑Bank就是8个,另外还为未来的16个逻辑Bank做好了准备。

封装(Packages)

D式算输候讨妈济溶概军说DR3由于新增了一些功能,所以在引脚方面会有所增加,8bit芯片采用78球FBGA封装,16bit芯片采用96球FB张备给GA封装,而DDR2则有6占层哪题科伟0/68/84球FBGA封装三种规格。并且DDR3必须是绿色封装,不能含有任何有害物质。

降低功耗

DDR3内存在达到高带宽的同左阳证时,其功耗反而可以降低,其核心工作电压从DDR2的1.8V降至1.5V,相关数据预测D格准副扩故DR3将比现时DDR2节省30%的功耗,当然发热量我们也不需要担心。就带宽和功耗之间待攻田低丰信川轴护觉沿作个平衡,对比现有的DDR2-800产品,DDR3输支二族务课满谈衡督-800、1066及1333的功耗比分别为0.72X、0.83X及0.95X,不但内存带宽大幅提升,功耗表现也比上代更好

折叠 编辑本段 性能优势

(1)功耗和发热量较小:吸取了DDR2的教训,在控制成本的基础上减小了能耗和发热量,使得DDR3更易于被用户和厂家接受。

(2)工作频率更高:由于能耗降低,DDR3可实现更高的工作频率,在一定程度弥补了延迟时间较长的缺点,同时还可作为显卡的卖点之商第脸以青继角击奏直一,这在搭配DDR3显存的显卡上已有所表现。

(3)降低显皇据卡整体成本:DDR2显存颗粒规格多为16M X 32bit,搭配中高端显卡常用的128MB显存便需8颗。而DDR3显存颗粒规格多为32M X 32bit,单颗颗粒容量较大,4颗即可构成128MB显存。如此一来,显卡PCB面积可减小,成本得以有效控制,此外,颗粒数减少后,显存功耗也能进一步降低。

(4)通用性好:相对于DDR变更到DDR2,DDR3对DDR2的兼容性更好。由于针脚、封装等关键特性不变,搭配DDR2的显示核心和公版设计的显卡稍加修改便能采用DDR3显存,这对厂商降低成本大有好处。

DDR3显存在新出的大多数中高端显卡上得到了广泛的应用。 许多低端的显卡也有采用DDR3显存的。

折叠 编辑本段 发展历史

2002年 DDR3宣称

早在2002年6月28日,JEDEC就宣布开始开发DDR3内存标准,但从2006的情况来看,DDR2才刚开始普及,DDR3标准更是连影也没见到。不过已经有众多厂商拿出了自己的DDR3解决方案,纷纷宣布成功开发出了DDR3内存芯片,从中我们仿佛能感觉到DDR3临近的脚步。而从已经有芯片可以生产出来这一点来看,DDR3的标准设计工作也已经接近尾声。

2008年 DDR3的市场份额将达到55%

半导体市场调查机构iSuppli预测DDR3内存将会在2008年替代DDR2成为市场上的主流产品,iSuppli认为在那个时候DDR3的市场份额将达到55%。截至2008年11月底的情况看,这个预期还是比较准确,市场上已经占据了很多运行频率为1066,1333,1600,甚至2000MHz的DDR3内存,接口类型有204和240 PIN两种。不过,就具体的设计来看,DDR3与DDR2的基础架构并没有本质的不同。从某种角度讲,DDR3是为了解决DDR2发展所面临的限制而催生的产物。

DDR3内存新特点

由于DDR2内存的各种不足,制约了其进一步的广泛应用,DDR3内存的出现,正是为了解决DDR2内存出现的问题,具体有:

更高的外部数据传输率

更先进的地址/命令与控制总线的拓朴架构

在保证性能的同时将能耗进一步降低

为了满足这些要求,DDR3内存在DDR2内存的基础上所做的主要改进包括:

8bit预取设计,DDR2为4bit预取,这样DRAM内核的频率只有接口频率的1/8,DDR3-800的核心工作频率只有100MHz。

采用点对点的拓朴架构,减轻地址/命令与控制总线的负担。

2009年单根PC内存条的容量已达到了惊人的32GB

在2009年冬季即将结束,三星正式推出目前世界上单颗密度最大的DDR3芯片,基于50纳米制造工艺,推单颗容量到了4Gb,这个终于使得我们可以更快的跨入64位的时代,因为单根PC内存条的容量已达到了惊人的32GB。 新的芯片比先前的DDR3芯片功耗降低了40%,

其次,这也为单根32GB的内存条的上市扫清了障碍,最初面市的32GB的RDIMM内存用于服务器领域采取双面封装(每一面由4×4GDDR3芯片组成),同时会面对桌面市场提供8G的UDIMM内存提供给工作站和PC平台,以及8GB的SO-DIMM笔记本电脑内存。 新的低功耗DDR3内存设计工作电压为1.35V,比之前1.5V的DDR3芯片降低大约20%功耗,同时最大吞吐速度达到1.6Gbps。 另外,DDR2的价格恐怕会依然疲软,我在想我的本本是不是应该升级到DDR2 4GB了呢?而根据IDC的预测DDR3内存市场份额将从目29%到2011年达到72%。

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