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太阳能多晶硅,由化学工业出版社出版,是介绍了太阳能及光电转换的基本原理、太阳电池的基本结构和工艺的书籍。

基本信息

  • 中文名称

    太阳能多晶硅

  • 图书编号

    2348492

  • 出版社

    化学工业出版社

  • 定价

    39.8

  • ISBN

    750259580

  • 出版日期

    2007-01-18

  • 开本

    16开

折叠 编辑本段 内容简介

太阳能是一种重要的、新的、有效的可再生清洁能源,其储量巨大,没有环境污染,充满了诱人的前景。太阳能光电方面的研究和应用在全世界范围内方兴未艾,相关太阳能光电工业发展迅速,是令人瞩目的朝阳产业。

本书着重从材料制备和性能的角度出发,阐述了主要的太阳能光电材料的基本制备原理、制备技术以及材料结构、组成对太阳电池的影响。太阳能光电材料包括直拉单晶硅、铸造多晶硅、带硅、非晶硅、多晶硅、GaAs、CdTe和CuInSe2(CuInS2)。

本书可供大专院校的半导体材料与器件、材料科学与工程以及太阳能光伏等能源领域的师生作为教学参考书,也可供从事相关研究和开发的太阳能相关行业科技工作者和企业工程师作为参考。

折叠 编辑本段 目录

第1章 太阳能和光电转换

1.1 太阳能

1.2 太阳能辐射和吸收

1.3 太阳能光电的研究和应用历史

1.4 太阳电池的研究和开发

参考文献

第2章 太阳能光电材料及物理基础

2.1 半导体材料和太阳能光电材料

2.2 载流子和能带

2.3 杂质和缺陷能级

2.4 热平衡下的载流子

2.5 非平衡少数载流子

2.6 p-n结

2.7 金属-半导体接触和MIS结构

2.8 太阳能光电转换原理--光生伏特效应

参考文献

第3章 太阳电池的结构和制备

3.1 太阳电池的结构和光电转换效率

3.2 晶体硅太阳电池的基本工艺

3.3 薄膜太阳电池

参考文献

第4章 单晶硅材料

4.1 硅的基本性质

4.2 太阳电池用硅材料

4.3 高纯多晶硅的制备

4.4 太阳能级多晶硅的制备

4.5 区熔单晶硅

4.6 直拉单晶硅

4.7 硅晶片加工

参考文献

第5章 直拉单晶硅中的杂质和位错

5.1 直拉单晶硅中的氧

5.2 直拉单晶硅中的碳

5.3 直拉单晶硅中的金属杂质

5.4 直拉单晶硅中的位错

参考文献

第6章 铸造多晶硅

6.1 概述

6.2 铸造多晶硅的制备工艺

6.3 铸造多晶硅的晶体生长

参考文献

第7章 铸造多晶硅中的杂质和缺陷

7.1 铸造多晶硅中的氧

7.2 铸造多晶硅中的碳

7.3 铸造多晶硅中的氮

7.4 铸造多晶硅中的氢

7.5 铸造多晶硅中的金属杂质和吸杂

7.6 铸造多晶硅中的晶界

7.7 铸造多晶硅中的位错

参考文献

第8章 带硅材料

8.1 带硅材料的制备

8.2 带硅生长的基本问题

8.3 带硅材料的缺陷和杂质

8.4 带硅材料的氢钝化和吸杂

参考文献

第9章 非晶硅薄膜

第10章 多晶硅薄膜

第11章 GaAs半导体材料

第12章 CdTe和CdS薄膜材料

第13章 CuInSe2(CuInS2)薄膜材料

折叠 编辑本段 发展

从工业化发展来看,重心已由单晶向多晶方向发展,主要原因为;

[1]可供应太阳电池的头尾料愈来愈少;

[2] 对太阳电池来讲,方形基片更合算,通过浇铸法和直接凝固法所获得的多晶硅可直接获得方形材料;

[3]多晶硅的生产工艺不断取得进展,全自动浇铸炉每生产周期(50小时)可生产200公斤以上的硅锭,晶粒的尺寸达到厘米级;

[4]由于近十年单晶硅工艺的研究与发展很快,其中工艺也被应用于多晶硅电池的生产,例如选择腐蚀发射结、背表面场、腐蚀绒面、表面和体钝化、细金属栅电极,采用丝网印刷技术可使栅电极的宽度降低到50微米,高度达到15微米以上,快速热退火技术用于多晶硅的生产可大大缩短工艺时间,单片热工序时间可在一分钟之内完成,采用该工艺在100平方厘米的多晶硅片上作出的电池转换效率超过14%。据报道,在50~60微米多晶硅衬底上制作的电池效率超过16%。利用机械刻槽、丝网印刷技术在100平方厘米多晶上效率超过17%,无机械刻槽在同样面积上效率达到16%,采用埋栅结构,机械刻槽在130平方厘米的多晶上电池效率达到15.8%。

2012年12月份,多晶硅的进口均价已下跌至20.8美元/公斤,市场最低报价已到15美元/公斤。整体上看,2012年几乎所有的多晶硅生产企业均处于亏损的状态。进入2013年1月份后,随着多晶硅生产厂家库存的减少,国内多晶硅生产企业开始调高多晶硅市场报价,市场报价已上涨至21美元/公斤。行业普遍亏损导致较多的产能已开始退出,多晶硅价格将会维持在20-23美元/公斤之间才能覆盖多晶硅企业的全成本,使得部分企业盈利。

折叠 编辑本段 追溯征税调查

11月26日,商务部发布2012年第84号公告,决定自即日起对原产于美国、欧盟、韩国的进口太阳能级多晶硅发起追溯征税调查 。

此项调查是应国内产业申请发起的。国内申请企业主张,自商务部对美国、欧盟、韩国进口太阳能级多晶硅发起反倾销和反补贴调查以来,上述国家和地区的多晶硅生产商和出口商在短期内大量突击对中国出口,这种不公平贸易行为导致中国国内产业陷入困境,严重影响到即将实施的反倾销税和反补贴税的救济效果。

根据《中华人民共和国反倾销条例》和《中华人民共和国反补贴条例》的规定,商务部决定对自上述国家和地区进口的太阳能级多晶硅发起追溯征税调查,并将根据调查结果决定是否追溯征收反倾销税和反补贴税。

折叠 编辑本段 开征双反税

2014年1月20日,中国商务部公布对太阳能级多晶硅反倾销、反补贴调查的最终裁定,决定对原产于美国的进口太阳能级多晶硅产品征收反倾销、反补贴税

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