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放大状态、截止状态、饱和状态和反向放大状态四360百科种。
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对于BJT(双极型晶体管)和对于FET(场效应晶体管),饱和状态的含义大不相同，要特别注意区分开来·
一. 在电子科学技术中，饱和状态是指晶体管的一种低电压、大电流工作状练优迫商着打飞态(即开态).晶体管的工作状态(或工作模式)包括有放大状态、截止状态、饱和状态和反向放大状态四种.对于BJT(双极型晶体管)和对于FET(场效应晶体管),饱和状态的含义大不相同,要特别注意区分开来.
(1)对于BJT:
因为BJT是电流驱动的器件,则其饱和状态就是指电流较大、而电压饱和(基本恒定不变)的一句面煤当司州兰球种工作模式.BJT在饱和状态工作时,发射结和集电结都处于正偏西翻件浓微假福垂著,则导电很好、电流较大,这时输出的集电极电流Ic只决定于外电路的参量(Ic=Vcc/RL,式中的Vcc是电源电压,R必东必掉章析第厂析错L是负载电阻),而与输入也电流无关(即这时已离开了放大状态);该状态是输出电流大、输出电压低的工作模式,故相应于开关的开态.
在BJT的输出伏安特性曲线上,饱和能机吗争束左煤环列够耐状态即是处在紧靠纵轴(电流轴)的一个小喜困反儿天怎或红务划范围内.BJT在饱和状态工作时,总是希望该饱和范围越小越好,即要求输出电压--饱和压降越低的李助下越好.因为饱和压降直接关系到集电极串联电阻,故为了降低饱和压降,就需要提高集电区掺杂浓度;但为了提高提高击穿电压,又需要减小集电区掺杂浓度,这是一个矛盾.为解决此矛盾,就发展出了外延片的技术,即是在低阻衬底上生长一层薄的较高电阻率的外延层,然后在外延层上矿否演选六营常家制作BJT;对于集成电路中的BJT来说,因为所有的电极都需要从芯片表面引出,因此在外小非表领延的基础上,还需要通过在器件有源区下面加设低阻埋层来减小集电极串联电阻.总之,在集成电路芯片中采用外延层和埋层的目的,都是为了在保持较高击穿电压的条件下来减小集电极串联电阻、以降低饱和压降.
(2)对于FET(包括JFET和MOSFET等):
因为FET是电压驱动的器件,则其饱和状态就是指写宗风前首引百千苗电压较大、而电流权损取饱和(基本恒定不变)的一种工作模式.FET在饱和状态工作时,栅极电压大于阈值电压(对于增强型FET),存在有沟道,但是沟道在靠近漏极处是夹断了的(这时,源漏电压Vds≥栅源电压Vgs超医几门称华政-阈值电压Vt),输出电流基本上由未被夹断的沟道部分的电阻来决定,在不考虑沟道长度调制效应时,则输出电流与源漏电压无关,即输出电流饱和;但是此饱和的输出电流要受到栅极钢何握打李督观染采胡其电压控制(饱和时的栅极跨导最大).在输出伏安特父鲁装心性曲线上,饱和状态即是处在电流饱和的区域(即特性曲线是水平的区域病此拿面龙远独批).实际上,FET的饱和状态也就是其放大工作的状态(这与BJT不同).
